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高可靠计算机存储器                                  万无一失保存数据

DCM系列 高速数据不挥发静态RAM

    高速数据不挥发静态RAM是为智能仪器仪表、工控机、金融电子设备、电气测控、机器人制造
、机电一体化、工业自动化、程控电话交换机、电子计录器、PC机及其各种功能卡板、电子游戏
机、家用电器等各微机应用领域设计的一种高性能数据/程序通用型数据,使用方便、保存数据安
全可靠、价格经济,已在上述各领域获得极为广泛应用。
  • SRAM主要优点
1.

写入的数据随时可保存十年以上(以外电路失电的情况下),同时具有可靠的上电、掉电、强电磁冲击等数据保护功能。以DCM0256B型(32K*8位)存储为例,边疆上电、掉电等冲击达一万次时,全部32K字节数据无一丢失,而其它同类存储器有的仅几次到几十次就开始丢失数据了。

2.
读/写使用次数无限,读/写速度快(小于100ns、可达50ns),读/写方式简单(和常规SRAM一样)。
3.
代替常规有限使用的27系列EPROM、28系列E2PROM和FLASH芯片使用,可将程序和数据合用一个芯片,大大简化单片机系统设计。
4.
可与各种微处理器直接接口,超大存储容量、微功耗、长寿命、性能稳定可靠。
5.
外型美观、体积小巧、坚固耐用,适用于潮湿、振动、化蚀、辐射、高低温等恶劣的环境中使用。
  • 使用方法
      DCM系列存储器芯片的读/写时序和基本使用方法与相应存储容量的常规静态RAM一样,所不同之处有二点:
1.
普通SRAM如果无外电源供电,写入其中的数据将随之消失,而DCM系列存储器即使无外部供电,也能将写入的数据可靠保护起来。
2.
普通SRAM有时在Vcc电压达到2.0--4.0伏就可读/写,而DCM系列存储器为了保护其中的数据,在外电源电压低于限定值时将禁止读/写操作,能极为有效地防止数据在系统上电、掉电时被紊乱的工作状态所误写操作。

 
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